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 光电探测器

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RASIP-P系列高速硅光电探测器
特点:■宽光谱覆盖范围350-1100nm■高响应度0.65A/mW(@λ=970nm)■低暗电流0.01nA■上升/下降响应时间6ns■全铜针低噪声Q9 BNC信号输出应用:■光学通讯领域■光学识别系统■光学控制系统■医疗光学测试系统■光学实验及高速测光实验光谱响...
RASIP-IN系列铟镓砷光电探测器
特点:■红外宽光谱覆盖范围900-1700nm■高响应度0.95A/mW(@λ=1550nm)■低暗电流0.03nA■上升沿、下降沿响应时间0.2ns■全铜针低噪声Q9 BNC信号输出应用:■光学通讯领域■近红外光谱领域■工业自动化控制系统■近红外激光脉冲测试及实验...
RASIP硅探测器【Discontinued】
特点:■较高响应时间■极低的暗电流■直接耦合BNC输出,直连数据采集器或者锁相放大器■体积小巧,容易配套光学常用实验器件■适用于脉冲激光的科学分析、科研及光学光谱实验等■产地中国型号RASIP-0.5RASIP-1.2类型硅PIN二极管探测器硅PIN二极管探测器探测面积0.5&t...
 RASIP-F  2.5GHZ 高速硅光电探测器
特点:■宽光谱覆盖范围350-1050nm■高响应度0.4mA/mW(@λ=905nm)■低暗电流20pA■高速响应时间150 ps(2.5GHZ)■全铜针低噪声Q9 BNC信号输出应用:■光学通讯领域■激光测距实验及系统■工业自动化控制系统■激光脉冲测试及实验■光...
RAD2系列硅光电探测器
特点:■宽光谱范围190-1100nm■大探测面积10x10mm■3µs快速响应时间■芯片进口日本滨松公司■常用于激光分析、光谱分析、透过率测试、探测效率测试等■封装地中国型号名称RAD219紫外增强型硅探测器RAD230普及型硅探测器感光面积100(10×...
美国EOS深度制冷型探测器(锗、铟镓砷、锑化铟、碲镉汞、双色)
产地美国生产厂商Electro-Optical Systems IncPart NumberG-030-E-LNG-030-E-LN4G-050-E-LNG-050-E-LN6NG-100-E-LN6NActive Area3 mm3 mm5 mm5 mm10 mmDetecto...
美国EOS电源附件
PS-1Low Noise Power SupplyThe PS-1 provides very low noise, +/- 15VDC. This unit operates with all EOSreceiver modules, including all biasin...
美国EOS光电探测器(热释电、象限探测器)
产地美国生产厂商Electro-Optical Systems Inc热释电、热电堆光电探测器Thermal ReceiversLT-020-HLT-050-HTH-020-HTH-060-H2 mm5 mm2 mm6 mmLithium TantalateLithium Tan...
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